ZyaK писал(а): ↑Ср дек 05, 2018 6:55 pm
Ну вообще IRF3708 Это обычный N канальный мосфет с не особо выдающимися характеристиками. и он даже не с логическим управлением!
Согласно даташиту у IRF3708 пороговое напряжение от 0.6 до 2В, а при 3.3 В на затворе он способен обеспечить ток до 100 А. Однако в китайских онлайн-магазинах под видом IRF3708 продают какие-то другие транзисторы, которые при 3.3 В на затворе не открываются.
ZyaK писал(а): ↑Ср дек 05, 2018 6:55 pm
надо брать мосфеты с логическим управлением и как можно меньшей ёмкостью затвора например IRL 510
для сравнения
IRL 510 ёмкость затвора 6.1 нКл
у IRF3708 ёмкость затвора 24 нКл
у IRL 540 ёмкость затвора 49.3 нКл
Чем больше ёмкость затвора - тем больше энергии надо затратить на его переключение. Соответственно и частота переключений у транзисторов с меньшей ёмкостью затвора будет на много выше например если шим на них делать и тому подобное ну и нагрузка на выходные пины контроллера будет в разы меньше.
Обычно ESP8266 при помощи MOSFET управляют светодиодными лентами на сравнительно низких частотах, поэтому емкость затвора не имеет значения. Зато у IRF3708 сопротивление канала не более 0.029 Ом при напряжениии на затворе 2.7В, а у IRL510 сопротивление 0.76 Ом при напряжении на затворе 4 В. Меньше сопротивление - меньше статические потери, меньше будет греться.
Слова "с логическим управлением" только вводят в заблуждение, поскольку были придуманы 20 лет назад, когда 3-вольтовая логика была редкостью. Таким образом обозначали транзисторы, которыми можно было управлять от стандартного по тем временам логического напряжения 5 В, в отличие от более старых транзисторов, которым нужно было подавать примерно 10 В на затвор, чтобы надежно открыть. Сравните: у IRL510 пороговое напряжение от 1 до 2 В, что ничуть не лучше, чем у IRF3708.
ZyaK писал(а): ↑Пн фев 18, 2019 11:51 am
по IRF 3708 напряжение пороговое Ugs(th): 2 V
а так он вообще не с логическим управлением, ему на затвор можно до 12 вольт давать. и ёмкость затвора у него больше в 4 чараз чем у 510, а это уже критично для ЕСПихи у которой ток выхода 20 миллиампер, если управлять шимом, то фронты будут затянуты и завалены, как следствие долгое открытие и закрытие - усиленный нагрев.
Давайте посчитаем. Ток 20 мА, емкость затвора 2500 пФ, изменение напряжения на затворе, когда происходит переключение, скажем, 1 В. Время t = C*V/I = 2.5нФ*1В/0.02А = 0.125 мкс. При частоте ШИМ 10 кГц переключение происходит каждые 50 мкс. При токе нагрузки 10А и напряжении 12 В пиковая мощность в момент переключения 120 Вт, форма графика мгновенной мощности треугольная, средняя мощность во время переключения половину от пиковой, 60 Вт. В сумме же динамические потери за полный период составят 60Вт*0.125мкс/50мкс = 0.15 Вт.
При емкости затвора 250 пФ эти потери будут, соответственно, в 10 раз меньше.
А теперь сравним статические потери.
При токе 10 А на сопротивлении канала 0.029 Ом выделяется 2.9 Вт, при скважности 2 статические потери на транзисторе IRF3708 составят половину от этой величины, т.е 1.45 Вт. Суммарные потери, статические и динамические, составят 1.6 Вт. С небольшим радиатором будет хорошо работать, а если ток меньше - то и вообще без радиатора.
А на сопротивлении канала 0.76 Ом при том же токе выделяется 76 Вт, при скважности 2 статические потери на транзисторе IRL510 составят 38 Вт. Этому транзистору понадобится огромный радиатор.